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(1) 図6はMOS FET の構造図を示したものであるが、
　　このFETはゲートの構造が 金属, 酸化物, 半導体からなるため、頭文字を取ってMOS と呼ばれている。

　　また、MOSFET の構造が接合形FET と大きく異なる点は、ゲート電極が薄い酸化膜で 絶縁されていることである。



(2) 図7は、MOS FET の図記号である。
　　図7(a)は エンハンスメント形 pチャネル、図7(b)は デプレション形 nチャネルである。


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(1) 図8は、エンハンスメント形MOS FETの動作原理を表している。
　　図8(2)では、VDSを加えても多数キャリヤであるAの 正孔が移動しないのでドレーン電流は流れない。

　　次に、図8(b)のようにVGSを加え、電圧を高くしていくと、P形領域内に少数キャリヤであるBの 自由電子が集まる。

　　さらに VDSを高くすると、図8(c)のように nチャネルの通路ができ、ドレーン電流が流れはじめる。
　　Lが流れはじめるときのVGSの値を しきい値電圧という。





(2) 図9はデプレション形MOS FETの動作原理を示している。
　　製造段階で チャネルが形成されている。したがって、VGS=0でもドレーン電流IDは 流れる。

　　VGSとしてゲートに加える負の電圧を大きくしていくとIDは 減少する。



(3) 図10(a)ではVGS=0なのでIDは 流れない。この状態を OFF状態という。
　　図10(b)のようにしきい値以上の VGSを加えるとIDは 流れる。この状態を ON状態という。

　　このように二つの状態をつくることを スイッチング作用という。