P型半導体の多数キャリアは
、N型半導体の多数キャリアは
である。ダイオードは交流を直流に変換する
回路に使われる。
トランジスタは主に
やスイッチングに利用される。
エミッタ電流はベース電流と
電流の和(IE=IB+IC)
ベース接地回路における電流増幅率を
といいエミッタ接地回路における電流増幅率を
またはhFEという。小信号等価回路において入力インピーダンスを表す定数を
、電流増幅率を表す定数を
と呼ぶ
hパラメータを用いたエミッタ設置回路の電圧増幅度はAv＝hfe*Rc/hie
電力増幅度は電圧増幅度と電流増幅度(hfe)の積であらわされる
最も簡単なバイアス回路は
バイアス回路だが温度変化によっては熱暴走する危険性がある。その欠点を回路自身で解決するために
バイアス回路や
バイアス回路が利用される。
バイアス回路ではエミッタ電圧VEを電源電圧Vccの約
%程に設定することが多い。バイアス回路では分圧抵抗に流れる電流はベース電流の約
倍程度に設定することが望ましい。
ダイオードを利用した回路では整流後の最大電圧が電流が流れる回路にあるダイオードの順方向電圧分引かれる。
電力増幅度Ap＝電流増幅度Ai(hfe)*電圧増幅度Av
電力増幅率=10log10Ap
電流増幅率20log10Ai
電圧増幅率20log10Av
各増幅度=
電圧増幅度Av=
,Ai=
エミッタ接地回路の電流増幅率β=
固定バイアス回路Vcc=
固定バイアス回路RB=
=
自己バイアス回路VCE=
電子工学
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