pn接合とはp形半導体とn形半導体がある面を境にして合わせること
(前回の復習:p形半導体とn形半導体はそれぞれ＋の電気、ーの電気を帯びています)
p形半導体とn形半導体はそれぞれ＋の電気、ーの電気を帯びているため
pn接合を行うと (電気的に均一濃度になろうとする性質)によって
p形半導体とn形半導体の濃度を等しくするため電子と陽子が
境目の真ん中に集まろうとする。
そこで出会った電子と陽子が結合して消滅(中性になる)。よって境目付近は電気的に中性な区間ができる
それが である。
空乏層は中性、それ以外は＋かーに帯電しているた空乏層と半導体との間に電位差が生じる。
よって＋の電気を帯びているp形半導体側の空乏層は-の電気を帯び、n形のほうは+の電気を帯びる。(拡散を抑制する向きの電界)
拡散を抑制する電界の力と拡散する力が釣り合うと拡散が止まる。
空乏層はpn接合においてp形半導体とn形半導体の間に生じる電気的に中性な区間