（1） 図1は逆阻止3端子 サイリスタの例である。
　　　ゲートに制御電流IGを流すとアノードとカソード間に電流が流れる。
　　　これを ターンオンという。

　　　また、VAK=0とすることによってアノードとカソード間に電流が流れなくなる。これを ターンオフという。


（2） 図2は逆阻止3端子 サイリスタの図記号である。
　　　①の端子名は アノード，②は カソード，③は ゲートである。


（3） 図3はフォトトランジスタの図記号である。
　　　 ベースの接合部に光を当てると、 コレクタ電流が流れる。

　　　フォトトランジスタは 受光センサとして用いられることが多い。


（4） 半導体素子の中には 光, 磁気, 熱などの入力を、電圧・電流の出力として取り出せるものがある。

　　　 サーミスタは温度によって 抵抗が変化する半導体素子である。
　　　ホール素子は、半導体片に電流を流し，電流の方向と 垂直に磁界を加えることによって
　　　電圧が発生する半導体素子である。

　　　また、光導電セルは、 光を照射することによって抵抗が変化する半導体素子である。


（5） トランジスタの表示法で、2SBは 低周波用の pnp形トランジスタで，
　　　2SCは 高周波用の npn形トランジスタを表している。


（6） FET の表示法で、2SKは nチャネルFET,2S」は pチャネルFETを表している