【問題集】サイリスタの特性
* ターンオン：サイリスタがオフ状態からオン状態になる、この現象を ターンオン になるといい、その電圧をブレークオーバ電圧とよぶ。
* ブレークオーバ電圧：A-K間の順方向電圧を上げていき、ある電圧値以上になると急に電流が流れる。その電圧を ブレークオーバ電圧 とよぶ。
* 逆阻止状態：逆方向電圧を加えた状態ではほとんど電流が阻止された状態になる。この状態を 逆阻止状態 という。
* 保持電流：サイリスタをターンオフするには、オン状態を持続できる最小のアノード電流（ 保持電流 ）以下にする必要がある。
* 転流回路：A-K間の電源電圧Vを一瞬逆に接続してターンオフさせる 転流回路 が必要となる。

【問題集】サイリスタの構造と種類
* 逆阻止3端子サイリスタ：単にサイリスタともよばれる 逆阻止3端子サイリスタ (SCR)のほか、GTOなどがある。
* pnpn：逆阻止3端子サイリスタ（SCR）は、シリコン半導体の pnpn の4層構造をもち、アノードA、カソードKにゲートGを加えた三つの端子が設けられている。
* トライアック：双方性3端子サイリスタ（ トライアック ）や、光トリガサイリスタなどがある。

【問題集】特殊なダイオード（FRD・SBD）
* 逆回復時間：一般整流ダイオードと比べ、 逆回復時間 ($t_{rr}$)が短くなるよう改善されたことにより、高速でのスイッチングが可能になった。
* FRD：高速整流素子である FRD は、数kHz〜数百kHzの高周波を整流できる。
* バリアメタル：SBDの基本構造はpn接合ではなく、 バリアメタル とn形半導体とを接合したダイオードである。
* ショットキー接合：この接合を ショットキー接合 といい、整流ダイオードと同様な整流特性の働きをする。

【問題集】一般整流ダイオードの基礎
* pn接合：ダイオードの基本構造は、p形半導体とn形半導体を接合した pn接合 である。
* アノード：電流は、 アノード (A)からカソード(K)への順方向に電圧を加えたときに流れる。
* オン状態：この状態を オン状態 (導通)という。
* オフ状態：逆方向に電圧を加えたときには、 オフ状態 (非導通)となり、ほとんど電流は流れない。

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【プリント】パワーモジュールと電力変換装置
* パワーモジュール：複数個のパワー半導体デバイスを用途・目的に合わせて一つのパッケージに組み込んだものを パワーモジュール (PM)という。
* インテリジェントパワーモジュール：パワー半導体デバイスや、制御回路、駆動回路、保護回路を一つのパッケージに組み込んだものを インテリジェントパワーモジュール (IPM)という。
* 順変換：交流から直流への電力変換を 順変換 といい、その変換装置を整流装置という。
* インバータ：直流から交流への電力変換を逆変換といい、その変換装置を インバータ という。
* 直流チョッパ：直流電力を別の直流電力に変換する方式を直流変換といい、装置を 直流チョッパ という。
* サイクロコンバータ：交流電力を別の交流電力に変換する装置には サイクロコンバータ などがある。

【プリント】パワーMOSFETとIGBTの構造
* キャリア：ドレーンDとソースS間に電圧を加えると、 キャリア である電子が移動してドレーン電流が流れる。
* 蓄積効果：少数キャリアの 蓄積効果 がないため、スイッチング動作が速いという長所がある。
* IGBT：MOSFETの高速性とバイポーラトランジスタの低オン電圧特性をあわせもつ素子を IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)という。

【プリント】パワートランジスタの特性
* パワートランジスタ：大きな電力を扱うトランジスタを パワートランジスタ という。
* 電流駆動形：バイポーラパワートランジスタを大別すると、 電流駆動形 のデバイスに分類される。
* 飽和電圧：トランジスタがオン状態のときに現れるわずかな電圧を 飽和電圧 という。
* 安全動作領域：トランジスタを破損することなく使用できる範囲を 安全動作領域 (ASO)という。
* ダーリントン接続：小さなベース電流で大容量のパワートランジスタを駆動する方法として、 ダーリントン接続 が用いられる。

【プリント】GTO・トライアック・光トリガサイリスタ
* ゲートターンオフサイリスタ：正の電流でオン、負の電流でオフの制御ができるサイリスタを ゲートターンオフサイリスタ (GTO)という。
* 双方性3端子サイリスタ：双方向に電流を流すことができるものを 双方性3端子サイリスタ (トライアック)という。
* 光トリガサイリスタ：光信号によってターンオンさせるサイリスタを 光トリガサイリスタ という。

【プリント】半導体バルブデバイスのスイッチング分類（表）
* ダイオード：スイッチング機能が「非可制御」であるデバイスの種類は ダイオード である。
* サイリスタ：信号切替が「オン制御」で、「ラッチ型」のデバイスは サイリスタ である。
* GTO：「オンオフ制御」で、「ラッチ型」のデバイスは GTO である。
* パワートランジスタ：「オンオフ制御」で、「非ラッチ型」のデバイスには パワートランジスタ 、MOSFET、IGBTがある。

【プリント】電力変換回路の基本動作
* オンオフ動作：半導体デバイスを機械式スイッチと同じように オンオフ動作 に用いる。
* 半導体バルブデバイス：これらパワーエレクトロニクス用のデバイスを総称して 半導体バルブデバイス という。
* オン抵抗：スイッチがオンのときに接点抵抗に相当する オン抵抗 があり、電流が流れると発熱する。
* 平均出力電圧：オンオフの時間比率を変えることで、 平均出力電圧 の大きさを制御できる。

【プリント】パワーエレクトロニクス導入
* パワー半導体デバイス：パワーエレクトロニクスとは、 パワー半導体デバイス を用いて電力を変換・制御する技術である。
* 電圧：効率よく変える特性には、 電圧 、電流、周波数、波形がある。
* 発電：電力分野の 発電 や送電、交通分野の電車や HV 、EV、産業分野の 工作機械 などに使われる。
* 整流装置：交流から直流への変換を順変換といい、その装置を 整流装置 (整流器)という。
* インバータ：直流から交流への変換を逆変換といい、その装置を インバータ という。

【プリント】整流回路と交流電力調整
* 制御角：位相角$\alpha$を 制御角 といい、$\alpha$を変化させることで出力電圧を制御できる。
* 三相全波整流：6個のサイリスタを用いる回路を 三相全波整流 回路といい、平均電圧は1.35V cos$\alpha$となる。
* 整流ダイオード：サイリスタの代わりに6個の 整流ダイオード を用いた場合の平均電圧は1.35Vとなる。
* 単相ブリッジ：単相全波整流回路( 単相ブリッジ 整流回路)において、直流平均電圧は $V_d = 0.9V \frac{1+\cos\alpha}{2}$ で求められる。