図3のように、隣り合う原子が価電子を一つずつ出し合った(2 )結合の構造になっている。

この結晶中の価電子に光や熱などのエネルギーを加えると(3 )の電荷をもった価電子は、
原子核の拘束から離れてAの(4 )となる。
また、電子の抜けたあとには、(5 )の電荷をもったBの(6 )が生じる。
このAとBは半導体の電気伝導に深くかかわり、電荷の運び手という意味で(7 )と呼ばれている。
(2) 半導体には,シリコンやゲルマニウムを高純度に精製した(8 )半導体と、
これにほかの原子をわずかに加えた(9 )半導体がある。
(9 )半導体は,半導体素子としてよく用いられる。
(3) 図4は価電子の数が(10 )個のヒ素原子を表したもので、
これをシリコンに不純物として加えると自由電子の数が多くなり、(11 )形半導体になる。
このように、自由電子の数を多くするために混入させる不純物を(12 )と呼び、
ヒ素のほかに(13 )や(14 )などがある。

(4) 図5は価電子の数が(15 )個のホウ素原子を表したもので、
これをシリコンに不純物として加えると正孔の数が多くなり、(16 )形半導体になる。
このように、正孔の数を多くするために混入させる不純物を(17 )と呼び、
ホウ素のほかに(18 )や(19 )などがある。

(5) p形半導体の(20 )キャリヤは正孔で(21 )キャリヤは自由電子である。