(1) 図7（a）は(1 ツェナー)ダイオードの図記号で、(2 定電圧)ダイオードとも呼ばれている。
　　この素子はダイオードの(3 降伏)現象を利用して一定の電圧を得ることができる。



(2) 図7（b）は(4 点接触)ダイオードの構造を示したもので，
　　このダイオードは高周波の(5 検波)用として用いられている。



(3) 図7（c）は(6 発光)ダイオードの図記号で、(7 光源)として多方面に利用されている。
　　この素子はタングステンフィラメントの電球と比べて
　　(8 消費電力)が少なく、(9 寿命)が長い特徴をもっている。



(4) 図 7（d）は(10 可変容量)ダイオードの図記号で、(11 バラクタ)ダイオードとも呼ばれている。
　　このダイオードは pn 接合に逆電圧を加え、その(12 接合容量)を利用し可変容量素子として働く。



(5) 図 7（e）は(13 pin)ダイオードの図記号で、pn 接合の間に(14 真性半導体)を挟んだ構造をしている。
　　このダイオードはpn接合ダイオードやショットキー接合ダイオードに比べて
　　(15 降伏)電圧が高く逆電流が流れないため、(16 スイッチング)回路などに用いられる。



(6) 図7（f）は(17 フォト)ダイオードの図記号で、光を電気信号に変換する素子である。
　　光によって発生する起電力を(18 光起電力)という。


(7) (19 レーザ)ダイオードから出る光は,(20 単一)周波数で(21 位相)がそろっているため。
　　焦点をきわめて小さく結ぶことができる。
　　このダイオードは(22 光信号)や(23 光ディスク)などに利用されている。